油浸式变压器火灾自动报警及联动控制设计

大型油浸式电力变压器在火灾自动报警系统和联动控制的设计环节尚存在一定的问题,笔者根据工程实践经验,对探测器的选型、设置及灭火系统的联动控制设计环节提出自己的建议,以完善大型油浸式电力变压器的火灾防控措施。     

浅谈住宅小区电子周界防护系统设计

电子周界防护系统是住宅小区安全技术防范的重要手段之一。本文从系统功能和结合工程实例,介绍电子周界防护系统的组成及设计要点。     

大型剧院火灾自动报警系统设计

结合大型剧院火灾自动报警系统工程设计实例,分析、比较剧院入口大厅、观众厅及舞台区域高大空间火灾探测器的选择,阐述在高大开放式空间建筑中怎样合理地选择火灾探测器。     

某大型厂房生命安全系统工程的初步设计

主要介绍了生命安全系统在大型工业厂房中的设计问题。     

锚杆与围岩相互作用的红外辐射定量研究

为了满足锚杆与围岩相互作用的红外辐射变化的处理要求,进行了实验红外热像数据的提取和锚杆作用区域的定量化分析。通过对受载锚固体的红外热像进行相减去噪和数据拟合,得到了锚杆与围岩相互作用的红外辐射等温线图,实现了锚杆横向作用范围的红外辐射温度场的提取,并将该方法应用于锚杆支护的巷道围岩变形及破坏过程的红外热像处理与分析研究,得到了巷道围岩变形过程中的多根锚杆共同的作用范围,为锚杆支护设计提供间距、排距的理论依据。     

基于光子计数激光雷达的时域去噪

激光雷达传统的成像方法需要经过长时间积分探测生成光子计数统计直方图的方式来减少背景噪声的影响,获得目标场景的深度估计信息。为了快速准确地获取目标场景的3D图像,提出基于光子计数激光雷达的三维距离图像时域去噪算法。该算法不需要生成光子计数统计直方图,利用信号和噪声在时间轴上不同的分布特性,结合了泊松过程统计规律。此算法提高了信号的探测概率,能够在低信噪比的环境下将信号和噪声分离,获得目标场景准确的3D图像。实验结果表明在低信噪比的条件下,此算法获得深度图像的RMSE与传统基于最大似然估计成像方法相比成像精度至少提高了3倍。有利于激光雷达三维成像在高背景噪声环境下的使用,拓宽了激光雷达的应用范围。     

中红外大气甲烷乙烷双组分气体的同步移动监测

为了实现大范围、长距离的大气烷烃气体检测,将研制的中红外双组分甲烷、乙烷传感器以车载方式,对某一地区的大气甲、乙烷含量进行了移动探测。该传感器系统采用中红外室温连续的带间级联激光器(ICL)作为光源,采用高速数据采集卡采集信号,利用上位机LabVIEW平台编写程序产生激光器扫描及调制信号、获取探测器信号并提取二次谐波,通过计算,确定大气烷烃气体浓度。根据气体采样时间、实时风速及车速,计算得到系统的响应时间为82.5s,实验测量为85~95s,与理论一致。对系统噪声水平进行测试,实验室中甲烷浓度波动为±40nL/L,乙烷波动为±2nL/L,车载过程甲烷浓度波动为+40至-80nL/L,乙烷波动为±4nL/L。为验证传感器性能,与美国Aeries公司的商用传感器结果做了对比,二者呈现较好的一致性。最后,给出了车载传感器系统在某条线路上的甲烷、乙烷浓度移动探测结果,以及某小区甲烷、乙烷浓度的二维分布测绘结果,分析了二种烷烃气体的变化关系。本文所开展的工作为探测烷烃气体泄漏并监测大气质量提供了技术保障。     

PEK-C膜热解交联过程反应机理

为了研究PEK-C膜热解交联过程的反应机理,通过制备PEK-C膜进行热解交联实验来确定该过程的分子结构变化,并以此为基础构建模型并对PEK-C热解交联过程进行分子模拟,通过拟合实验与分子模拟结果来探究反应截断半径、反应温度与交联度间的变化规律.结果表明:交联温度介于643～748 K之间且交联度随温度的升高而增加;截断半径为0. 3～0. 6 nm且交联度随截断半径的增加而增加;交联反应截断半径随反应温度的增加而增加且二者呈线性关系,热解交联过程最适反应温度为658～743 K.     

便携红外安全防护系统的设计

红外警戒系统具有反应速度快、虚警率低、能昼夜工作等优点,应用于实验室等重点区域能够取得较好的效果;结合现代互联网技术和红外警戒系统的优点,设计了一种便携式红外安全防护系统,阐述了系统的组成及工作原理,对非法入侵判别系统、安全防护系统及信号传输系统进行了详细设计;该系统具有灵敏度高、易于携带等优点,能够对实验室实现全天候无人值守安全警戒及防护,具有较好的应用价值。     

隔离槽深度对面阵探测器热应力影响研究

热冲击下InSb面阵探测器的成品率制约着其适用性。为了解光敏元隔离槽深度对InSb芯片中热应力的影响,针对典型器件结构,借助ANSYS软件,分析了隔离槽深度对InSb芯片、底充胶和硅读出电路中Von Mises应力的影响。模拟结果表明:随着隔离槽深度的增加,InSb芯片上的热应力起初缓慢增加,之后增加速度越来越快,当隔离槽深度超过8μm后,InSb芯片上的热应力陡峭上升。对硅读出电路和底充胶来说,在热冲击下累积的热应力似乎与隔离槽深度无关,分别在370 MPa和190 MPa左右浮动。当隔离槽深度取4μm时,整个器件的热应力较小、且分布均匀,能够满足光学串扰及结构可靠性设计的需求。